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上海汽车报市场动态 充电10分钟跑上200公里!? 3月乘用车零售销量下降10%

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充电10分钟跑上200公里!?

□ 本报记者 甘文嘉

如何解决新能源汽车充电慢痛点?高电压平台和超级充电桩是实现大功率快充的主要方案。近年来,国内外车企纷纷发布800V高电压平台量产车型,特别是随着碳化硅(SiC)技术的进一步发展,电动车高电压趋势已经确立。

800V高压车型陆续推出

在上月底举行的电动汽车百人会上,华为数字能源技术有限公司智能电动产品线副总裁彭鹏作了题为《协同推进“千伏”高压平台,加速电动化进程》的演讲。他认为,随着头部车企纷纷推出高压平台架构车型规划,电压等级不断提升,电动车高压化将成为趋势。

据介绍,2020年以前上市电动车型的电压多在300-500V之间。2019年4月,保时捷Taycan Turbo S在全球首次推出了800V电压平台。从2020年开始,600-800V高压车型加快了走向市场步伐,保时捷、奥迪、奔驰、现代等品牌的高压架构车型纷纷上市。2021年之后,有更多的头部车企发布高压平台车型规划,向800V甚至更高电压推进。

在去年举行的广州车展上,小鹏汽车首次亮相的全新SUV G9采用800V高压技术;长城沙龙汽车首款车型机甲龙,也支持800V超级快充。而比亚迪e平台3.0、东风岚图、极狐等平台或车型早在广州车展开幕之前就推出了800V架构。吉利于2020年9月推出的SEA浩瀚平台更是在国内车企中率先采用了800V技术。

与此同时,作为供应商的华为智能电动在高压产业化进程中持续投入,为车企及充电运营商提供车载充电、电驱动系统、BMS、高压热管理系统、三电云、充电模块、端到端的动力与高压解决方案。

从量产时间来看,各大车企基于800V系统的新车将于今明两年内陆续上市。彭鹏预计未来几年,高压车型的销量会有较大幅度的增长,复合增速有望超过50%。到2026年,800V以上高压平台车型销量可达580多万辆,占当年电动车销量的50%以上,保有量可达1300万辆左右。

充电10分钟跑上200公里

行业专家认为,采用800V高压平台架构有三大好处:一是大幅缩短充电时间;二是提高整车运行效率;三是降低整车成本。

当前,纯电动车的发展还面临诸多挑战,痛点之一是充电慢。双倍的电压大大缩短了电池的充电时间。根据电池的容量,可以做到在20分钟内将电池的电量至少充到80%。彭鹏透露,有车企采用高压快充架构,充电10分钟补能200km的快充车型今年就会量产。据悉,小鹏汽车还将铺设中国首批量产的480kW高压超充桩,以实现充电5分钟可跑200公里的目标。

此外,800V的电气系统可以实现更高的功率输出,同时大大提高了电驱动的工作效率。800V高压平台车型容易实现高功率和大扭矩,以及更好的加速性能,给用户带来更好的体验。

因为整车效率的提升,导致电池装机量的下降,最终从电池端把成本降下来。彭鹏以典型的B级车为例,续航1000km大约需要配置1C充电能力、150kWh容量的电池,成本约13.5万元。相比而言,配置4C快充500km续航能力,只需配置75kWh容量的电池,成本约8.25万元,下降5万元左右,整车重量减轻0.6吨。新能源汽车的高压线束必须承受较大电流,因此需要截面积较大的高压线束。提高电压等级能有效减小高压线束截面积,减轻重量,节省空间,降低线束成本。

800V+SiC相辅相成

今年年初,上汽大众完成MEB平台首个碳化硅“三合一”电桥试制,效率对比目前的电驱动产品有了全方面的提升。其中,碳化硅电控的最高效率达到99.9%。未来,搭载碳化硅技术的ID.4X车型可以提升4.5%的续航里程。

同时在今年年初,纬湃科技斩获北美头部汽车制造商价值超过10亿欧元的订单,公司将提供数百万个采用碳化硅技术的800V逆变器。800V高压平台成为行业趋势,离不开碳化硅技术的发展,碳化硅技术是采用800V技术的关键推动力。在800V甚至更高水平的平台上,原本的硅基IGBT芯片达到了材料极限,创新型宽禁带半导体材料,如氮化镓和碳化硅提供了新的解决方案。碳化硅芯片能够使电驱动系统效率更高、损耗更低、重量更轻、结构更紧凑,从而提升成本效益。

碳化硅芯片的大规模应用,则始于特斯拉。行业预计,未来几年,碳化硅功率元器件将随着800V平台的大规模上车进入快速爆发阶段。根据比亚迪的计划,到2023年,比亚迪旗下所有电动车型会用碳化硅功率半导体全面替代硅基IGBT。

挑战来自性能和成本

800V+SiC技术的发展,对于提升用户体验、控制整车成本、打造车企差异化竞争力有诸多益处,但距离产品真正普及还有比较长的一段路要走。高电压平台的推出,意味着原有的很多元器件都要重新开发设计。电池包、电驱动、PTC、空调、车载充电机等都需重新适配,高压充电网络需要布局。

此外,高电压等级对元器件更是一种挑战。随着未来市场供应加大,预计碳化硅价格达到对应硅基产品的2-3倍时,将推动碳化硅逐步替代硅基IGBT等产品。而目前国际上碳化硅价格是对应硅基产品的5-6倍,提高产品性能和降低系统成本成为当下重要任务。

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